公司引进了美国大型（Max：8inch）磁控溅射仪（与中芯国际、Intel、ASML等公司所用同款设备），兼具高质与量产能力。主营晶圆级半导体与金属薄膜的制备和开发。可镀制的材料有：
1. 金属薄膜：
铝（Al）、铜（Cu）、钨（W）、钛（Ti）、钽（Ta）、银（Ag）
2. 氮化物薄膜：
氮化钛（TiN）、氮化钽（TaN）、氮化硅（Si₃N₄）、氮化铝（AlN）
3. 氧化物薄膜
氧化铝（Al₂O₃）、氧化钛（TiO₂）、氧化锆（ZrO₂）、氧化铌（Nb₂O₅）、ITO、IGZO、AZO
4. 半导体薄膜
硅（Si）、硅碳（SiC）、锗（Ge）、硒（Se）、碲（Te）、氧化钒（VOx）、二氧化钒（VO2）、氧化镓（Ga2O3）、氧化镁（MgO）
此外，设备配备强大的射频系统及气路系统，可实现多种工艺的兼容开发，提供多种新工艺开发及解决方案。